晶圆龙头台积电先进制程技术跃进一大步，看好快充电源管理IC市场潜力，协同合作伙伴Dialog半导体，将于明年第1季推出首颗氮化镓（GaN）手机快充芯片，挑战目前快充芯片龙头德仪（TI）及恩智浦（NXP）霸主地位。

喧腾已久氮化镓制程，台积电终于宣布跨入氮化镓先进制程，为合作客户德商Dialog量身打造，采用6寸、0.5微米、650V矽上氮化镓（GaN-On-Silicon）制程技术，生产首颗氮化镓手机快充芯片，预计在明年第1季产出，该芯片具备体积缩小、效能提高、充电时间减半等优势，适用于手机及平板等移动快充，将挑战业界霸主德仪、恩智浦龙头地位。

智能手机配备快充已是目前各大国际品牌手机厂必备功能，相关电源管理IC解决方案的国际芯片大厂德仪、恩智浦及英飞凌等早已备妥相关电源管理IC方案，推出芯片多以氮化镓制程生产，此次，台积电与戴格乐合作，除了挑战霸主地位，更展现台积电在氮化镓制程成熟技术，向相关电源管理IC厂客户招手。